RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2835
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link