RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link