RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link