RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
97
Около 75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
97
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link