RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3637
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link