RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston X2YH1K-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link