RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link