RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link