RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2013
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link