RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link