RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2640
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kllisre D4 8G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link