RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2591
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link