RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 38
    Около 37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.4
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2821

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
модули RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
модули RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
модули RAM