RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3506
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link