RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link