RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2864
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link