RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 996902 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link