RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link