RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
64
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
64
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2197
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905402-158.A00LF 2GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link