RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1997
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link