RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link