RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
8.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
8.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1842
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link