RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link