RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2229
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link