RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link