RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2284
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link