RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2245
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
UMAX Technology 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link