RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 33
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.9
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2876

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
модули RAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
модули RAM