RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2800
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link