RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link