RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2776
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link