RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2570
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link