RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
58
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
58
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2172
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link