RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link