RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2679
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Corsair CGM2X2GS800 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link