RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link