RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link