RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
79
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
79
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1710
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link