RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около 75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
96
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
6.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link