RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около 75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
4.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
96
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
6.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
992
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link