RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link