RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link