RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3818
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link