RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2974
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link