RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2676
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link