RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2369
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link