RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link