RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2847
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link