RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link