RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
75
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
75
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link