RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2950
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link