RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3217
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link