RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2613
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link