RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3224
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link